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NVTFS8D1N08HTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:14A 电流:61A
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- 描述
- 特性：小尺寸 (5x6mm)，适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVTFWS8D1N08H-可焊侧翼选项，便于光学检测。 符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，并符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS8D1N08HTAG
- 商品编号
- C3282050
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@270uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 776pF |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
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