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NTTFS030N10GTAG实物图
  • NTTFS030N10GTAG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTTFS030N10GTAG

N沟道,电流:35A,耐压:100V

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTTFS030N10GTAG
商品编号
C3282047
商品封装
WDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.107克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.366nF
反向传输电容(Crss)21.5pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)161pF

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 宽安全工作区(SOA),适用于线性模式操作
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 高峰值非钳位感性开关(UIS)电流能力,确保耐用性
  • 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),便于紧凑型设计
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

应用领域

  • 48 V热插拔系统、负载开关、软启动、电子保险丝

数据手册PDF