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NTTFS030N10GTAG
N沟道,电流:35A,耐压:100V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS030N10GTAG
- 商品编号
- C3282047
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@61uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.366nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 161pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 薄型设计——适用于薄型应用
- 4mm² PCB 占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中所引用），具备高可靠性
应用领域
- 电池管理应用
- 电源管理功能
- DC-DC 转换器