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DMN1016UCB6-7
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:12V 电流:6.6A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1016UCB6-7
- 商品编号
- C3282024
- 商品封装
- U-WLB1510-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品特性
- 低栅极电荷(QG)和栅漏电荷(QGD)
- 小尺寸封装
- 低外形,高度仅0.62mm
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护