2SK303000L
N沟道,电流:8A,耐压:100V
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- 品牌名称
- PANASONIC(松下)
- 商品型号
- 2SK303000L
- 商品编号
- C3282019
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(on) = 29.2 mΩ，条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 40 A
- 快速开关速度
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻RDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- PDP应用
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