2SK3391JX
N沟道,电流:0.3A,耐压:17V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3391JX
- 商品编号
- C3282021
- 商品封装
- TO-243AA
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 17V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 工作温度 | -45℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5pF |
商品概述
这款RChannel 2.5V特定MOSFET是先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 57 mΩ
- 4.4 A，-20 V。在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 35 mΩ
- 扩展的VGSS范围（±12V），适用于电池应用。
- 静电放电（ESD）保护二极管。
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)。
- 薄型TSSOP - 8封装。
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC转换-电源管理
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