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BSS8402DW-TP
双通道N/P沟道MOSFET,电流:0.13A,耐压:60V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- BSS8402DW-TP
- 商品编号
- C3280242
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.75Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
FDFC2P100在SSOT - 6封装中集成了PowerTrench MOSFET技术的卓越性能和极低正向压降的肖特基势垒整流器。 该器件专为DC - DC转换器提供单封装解决方案。其特点是具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET，且导通电阻极低。通过将独立连接的肖特基二极管替换为肖特基二极管阴极pn与P沟道PowerTrench MOSFET漏极引脚的内部连接，热特性和功耗得到显著改善。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(on)
- 坚固可靠
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准,详见订购信息)