商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W |
商品概述
采用带陶瓷帽的双引脚法兰封装(SOT467C)的硅N沟道增强型横向D-MOS晶体管。公共源极连接到法兰。
商品特性
- 高功率增益
- 易于功率控制
- 出色的耐用性
- 安装基座上的源极省去了直流隔离器,降低了共模电感。
应用领域
- 适用于1200至1400 MHz频率范围的L波段雷达应用。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W |
采用带陶瓷帽的双引脚法兰封装(SOT467C)的硅N沟道增强型横向D-MOS晶体管。公共源极连接到法兰。