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SI3139KEA-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI3139KEA-TP

1个P沟道 耐压:20V 电流:0.6A

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描述
特性:ESD保护高达2KV(HBM)。 沟槽低压MOSFET技术。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准
品牌名称
MCC(美微科)
商品型号
SI3139KEA-TP
商品编号
C3280266
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.037633克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))2Ω@1.8V
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)860pC@4.5V
输入电容(Ciss)40pF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)16pF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 湿气敏感度等级1级
  • 无卤,“绿色”器件
  • 无铅涂层/符合RoHS标准

数据手册PDF