NE5500234-T1-AZ
N沟道,电流:1.0A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE5500234-T1-AZ
- 商品编号
- C3280285
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
适用于基站应用的270 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2170 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻（Rth），提供出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
- 较低的输出电容，可提升Doherty应用性能
- 专为低记忆效应设计，具有出色的预失真能力
- 内部匹配，便于使用
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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