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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@0V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF |
商品概述
CPC3714是一款N沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺生产出的器件性能强劲,输入阻抗高,适用于高功率应用。
该器件在需要低漏源电阻的功率应用中表现出色,尤其适用于汽车点火模块等寒冷环境。
CPC3714在25°C时的最大导通电阻低至14Ω。
CPC3714的最小击穿电压为350VP,采用SOT - 89封装。与所有MOS器件一样,FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- 在低温环境下提供低RDS(on)
- 25°C时RDS(on)最大为14Ω
- 高输入阻抗
- 高击穿电压:350V
- 低VGS(off)电压:-1.6至 - 3.9V
- 小封装尺寸:SOT - 89
应用领域
-点火模块-常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源