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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@0V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF |
商品概述
这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能承受击穿雪崩工作模式下特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 在低温环境下提供低RDS(on)
- 25°C时RDS(on)最大为14Ω
- 高输入阻抗
- 高击穿电压:350V
- 低VGS(off)电压:-1.6至 - 3.9V
- 小封装尺寸:SOT - 89
应用领域
-点火模块-常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源