CPC3714CTR

CPC3714是一款N沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺生产出的器件性能强劲,输入阻抗高,适用于高功率应用。

该器件在需要低漏源电阻的功率应用中表现出色,尤其适用于汽车点火模块等寒冷环境。

CPC3714在25°C时的最大导通电阻低至14Ω。

CPC3714的最小击穿电压为350VP,采用SOT - 89封装。与所有MOS器件一样,FET结构可防止热失控和热致二次击穿。

• 在低温环境下提供低RDS(on)
• 25°C时RDS(on)最大为14Ω
• 高输入阻抗
• 高击穿电压:350V
• 低VGS(off)电压:-1.6至 - 3.9V
• 小封装尺寸:SOT - 89

-点火模块-常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源