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MSCMC90AM12C3AG实物图
  • MSCMC90AM12C3AG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MSCMC90AM12C3AG

MSCMC90AM12C3AG

商品型号
MSCMC90AM12C3AG
商品编号
C3280297
商品封装
SP3F​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)900V
属性参数值
连续漏极电流(Id)110A

商品概述

IGBT产品为广泛的高压和高功率应用提供了高质量的解决方案。开关频率范围从直流(以实现最小传导损耗)到150 kHz(适用于超高功率密度开关模式电源(SMPS)应用)。每款IGBT产品都代表了IGBT技术的最新成果,为目标应用提供了最佳的性能/成本组合。 碳化硅(SiC)是适用于更高开关频率、更高效率和更高功率(>650V)应用的理想技术。SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管产品线相较于硅MOSFET和IGBT解决方案提高了系统效率,同时通过实现系统小型化和更小/更低成本的散热方案降低了总体拥有成本。

商品特性

-高温下最低的传导损耗-低开关损耗-高短路耐受能力-低栅极电阻-高雪崩能力:单脉冲雪崩和重复雪崩-专利SiC技术-更低的功率损耗-更易散热、系统小型化和更高的可靠性

应用领域

  • 商用:驱动装置、空调、配电
  • 工业领域:电机驱动、焊接、不间断电源(UPS)、开关模式电源、感应加热
  • 交通运输/汽车:电动汽车(EV)电池充电器、混合动力汽车(HEV)动力系统、DC-DC转换器、能量回收
  • 智能能源:光伏(PV)逆变器、风力发电机
  • 医疗领域:MRI电源、X光电源

数据手册PDF