MSCM20XM16F4G

IGBT产品为广泛的高压和高功率应用提供了高质量的解决方案。开关频率范围从直流(以实现最小传导损耗)到150 kHz(适用于超高功率密度开关模式电源(SMPS)应用)。每款IGBT产品都代表了IGBT技术的最新成果,为目标应用提供了最佳的性能/成本组合。 碳化硅(SiC)是适用于更高开关频率、更高效率和更高功率(>650V)应用的理想技术。SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管产品线相较于硅MOSFET和IGBT解决方案提高了系统效率,同时通过实现系统小型化和更小/更低成本的散热方案降低了总体拥有成本。

-高温下最低的传导损耗-低开关损耗-高短路耐受能力-低栅极电阻-高雪崩能力:单脉冲雪崩和重复雪崩-专利SiC技术-更低的功率损耗-更易散热、系统小型化和更高的可靠性

• 商用:驱动装置、空调、配电
• 工业领域:电机驱动、焊接、不间断电源(UPS)、开关模式电源、感应加热
• 交通运输/汽车:电动汽车(EV)电池充电器、混合动力汽车(HEV)动力系统、DC-DC转换器、能量回收
• 智能能源:光伏(PV)逆变器、风力发电机
• 医疗领域:MRI电源、X光电源