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BSS84AHZGT116
1个P沟道 耐压:60V 电流:230mA
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BSS84AHZGT116
- 商品编号
- C3280334
- 商品封装
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
基于先进耐用技术（ART），这款150 W LDMOS射频晶体管专为覆盖工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛应用而设计。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至650 MHz。
商品特性
- 沟槽式MOSFET技术
- 极快的开关速度
- 4.5V驱动
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 开关电路
- 高端负载开关
- 继电器驱动器