R6006KNXC7G
1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6006KNXC7G
- 商品编号
- C3280923
- 商品封装
- TO-220FM
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 830mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET II FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有良好的反向恢复性能，可减少额外元件的使用并提高系统可靠性。
商品特性
- 低导通电阻
- 超快速开关
- 易于并联使用
- 无铅镀层;符合RoHS标准
应用领域
-开关应用