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STF10N60DM2
N沟道,电流:8A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道600 V、0.440 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF10N60DM2
- 商品编号
- C3280947
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 529pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 极快速开关
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路