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STW75N60M6-4
N沟道,电流:72A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh M6功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW75N60M6-4
- 商品编号
- C3281095
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积的 RDS(on) 更低
- 栅极输入电阻低
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源引脚,实现出色的开关性能
应用领域
-开关应用-LLC 转换器-升压 PFC 转换器