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STQ2LN60K3-AP
1个N沟道 耐压:600V 电流:600mA
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- 描述
- 该产品是对MDmesh技术改进的结果，结合了新的优化垂直结构。具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，适用于要求苛刻的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STQ2LN60K3-AP
- 商品编号
- C3281861
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 极低的固有电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用