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STO67N60DM6
N沟道,电流:58A,耐压:600V
- 描述
- 采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm（典型值）、58 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STO67N60DM6
- 商品编号
- C3281865
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具备极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用
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