RSR025P03HZGTL
1个P沟道 耐压:30V 电流:2.5A
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- 描述
- 特性:低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小表面贴装封装(TSMT3)。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。应用:开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSR025P03HZGTL
- 商品编号
- C3281896
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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