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RQ5E040AJTCL
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装 (TSMT3)。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ5E040AJTCL
- 商品编号
- C3281901
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
SD211DE/SST211系列由增强型MOSFET组成，专为音频、视频和高频应用中的高速、低毛刺开关而设计。SD211可用于±5V模拟开关，或作为SD214的高速驱动器。SD214通常用于±10V模拟开关。这些MOSFET采用横向结构，以实现低电容和超快速开关速度。集成的齐纳二极管提供ESD保护。这些器件采用多晶硅栅极，以确保制造可靠性。
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率封装(TSMT3)。
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。
- 无卤。
应用领域
- 开关应用