QS5U17TR
1个N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS5U17TR
- 商品编号
- C3281903
- 商品封装
- TSMT5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh产品相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）显著降低，并且具备市场上最有效的开关性能之一，适用于对效率要求极高的桥式拓扑和零电压开关移相转换器。
商品特性
- QS5U17在单个TSMT5封装中集成了N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
- 低导通电阻,开关速度快。
- 低电压驱动(2.5V)。
- 独立连接的肖特基势垒二极管具有低正向电压。
应用领域
- 负载开关
- 直流/直流转换