QS8M13TCR
N沟道+P沟道,电流:6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS8M13TCR
- 商品编号
- C3281921
- 商品封装
- TSMT-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率封装(TSMT8)。
- 低电压驱动(4V驱动)。
应用领域
-开关