RRL025P03FRATR
1个P沟道 耐压:30V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RRL025P03FRATR
- 商品编号
- C3282004
- 商品封装
- TUMT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用了飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺，具备坚固耐用的栅极。它针对电源管理应用进行了优化，可适应较宽范围的栅极驱动电压（2.5V - 12V）。
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置栅源保护二极管。
- 小型表面贴装封装(TUMT6)。
- 引脚无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 直流-直流转换器