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AO6400实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO6400

1个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A

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描述
AO6400采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌名称
AOS
商品型号
AO6400
商品编号
C3281937
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.051克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.9A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.45V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7nC@10V
输入电容(Ciss)630pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)75pF

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 低栅极电荷
  • NV 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 负载开关
  • 笔记本电脑
  • 台式电脑

数据手册PDF