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PMN30XPAX
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.2A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在小型SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN30XPAX
- 商品编号
- C3281946
- 商品封装
- SC-74(TSOP-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.039nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路