SI6423ADQ-T1-GE3
P沟道,电流:-12.5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6423ADQ-T1-GE3
- 商品编号
- C3281990
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.7mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.875nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
RM6602采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 3.5 A
- 当栅源电压VGS=10 V时，导通电阻RDS(ON)<58 mΩ
- 当栅源电压VGS=4.5 V时，导通电阻RDS(ON)< 95 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -2.7 A
- 当栅源电压VGS~~- 10 V时，导通电阻RDS(ON)< 100 mΩ
- 当栅源电压VGS~~- 4.5 V时，导通电阻RDS(ON)< 150 mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无卤
应用领域
- 电池保护
- 开关应用
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