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SI6423ADQ-T1-GE3
P沟道,电流:-12.5A,耐压:-20V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6423ADQ-T1-GE3
- 商品编号
- C3281990
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.7mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.875nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
RM6602采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 负载开关
- 电池开关
- 电源管理
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