FDW9926A
双N沟道MOSFET,电流:4.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW9926A
- 商品编号
- C3281995
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 N 沟道 MOSFET 是先进 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = 2.5V 时，RDS(ON) = 0.035 Ω
- 5.5A、20V。在 VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 0.021 Ω
- 扩展的 VGSS 范围（±12V），适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动
- DC/DC 转换
- 电源管理