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RUF015N02TL
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.5A
- 描述
- 特性：低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动（1.8V驱动）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RUF015N02TL
- 商品编号
- C3282003
- 商品封装
- TUMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这款 P 沟道 -1.8V 指定 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺。它针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 低导通电阻。
- 节省空间的小型表面贴装封装(TUMT3)。
- 低电压驱动(1.8V驱动)
应用领域
- 开关