UPA1814GR-9JG-E1-A
P沟道MOSFET,电流:7.0A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1814GR-9JG-E1-A
- 商品编号
- C3281991
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 303pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 内置G-S保护二极管
- 小型表面贴装封装（TUMT3）
- 低电压驱动（4V）
应用领域
- 开关应用