FDW2502PZ
双P沟道,电流:4.4A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW2502PZ
- 商品编号
- C3281989
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 552pF |
商品特性
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 57 mΩ
- 4.4 A,-20 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 35 mΩ
- 扩展的VGSS范围(±12V),适用于电池应用。
- 静电放电(ESD)保护二极管。
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 薄型TSSOP - 8封装。
应用领域
-负载开关-电机驱动-DC/DC转换-电源管理