UPA1804GR-9JG-E1-A
N沟道MOSFET,电流:8.0A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1804GR-9JG-E1-A
- 商品编号
- C3281970
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 761pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用坚固的栅极功率沟槽工艺。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -10 A，-20 V。RDS(ON) = 12 mΩ ↑ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 17.5 mΩ @ VGS = -2.5 V
- 快速开关速度。
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护
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