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SI6415DQ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.4A
- 描述
- 特性：无卤。 符合RoHS标准
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6415DQ-T1-GE3
- 商品编号
- C3281981
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.081克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,6.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 是仙童半导体先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（1.8V - 8V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -9 A，-12 V，VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 11 mΩ
- VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 14 mΩ
- VGS = -1.8 V 时，RDS(ON) = 20 mΩ
- 适用于 1.8V 逻辑的 Rds 额定值
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理