UPA1815GR-9JG-E1-A

采用专有高单元密度 DMOS 技术生产 SuperSOT -8 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如电池供电电路或便携式电子设备，这些应用需要低在线功率损耗、快速开关和抗瞬态能力。

• 6.1 A，-20 V。VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 0.030 Ω
• VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 0.040 Ω
• 高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)。
• 占位面积小（比标准 SO - 8 小 38%）；薄型封装（厚度 1 mm）；功率处理能力与 SO - 8 相似。