- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UPA1815GR-9JG-E1-A
P-通道MOSFET,电流:7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1815GR-9JG-E1-A
- 商品编号
- C3281985
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用专有高单元密度 DMOS 技术生产 SuperSOT -8 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如电池供电电路或便携式电子设备，这些应用需要低在线功率损耗、快速开关和抗瞬态能力。
商品特性
- 6.1 A，-20 V。VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 0.030 Ω
- VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 0.040 Ω
- 高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)。
- 占位面积小（比标准 SO - 8 小 38%）；薄型封装（厚度 1 mm）；功率处理能力与 SO - 8 相似。
应用领域
-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备