SI6467DQ
P沟道,电流:-9.2A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6467DQ
- 商品编号
- C3281976
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.5mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.878nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 559pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 994pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用。
商品特性
- -9.2 A,-20 V。VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 12 mΩ
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 15 mΩ
- VGS = -1.8 V时,RDS(ON) = 21.5 mΩ
- 适用于1.8 V逻辑的Rds额定值
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP-8封装
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动
- DC/DC转换
- 电源管理