AOTE21115C
2个P沟道 耐压:20V 电流:5.1A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTE21115C
- 商品编号
- C3281971
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品特性
- 热阻 R₀JA 的值是在器件安装在 1 平方英寸、2 盎司铜的 FR - 4 板上,静止空气环境(环境温度 Tₐ = 25°C)下测量得到的,在任何特定应用中的值取决于用户的具体电路板设计。
- 功耗 P_D 基于 T_J(MAX) = 150°C,采用 ≤ 10s 的结到环境热阻。
- 重复额定值,脉冲宽度受结温 T_J(MAX) = 150°C 限制。额定值基于低频和占空比,以保持初始 T_J = 25°C。
- R_θ,JA 是结到引脚热阻 R_θ,JL 和引脚到环境热阻之和。
- 图 1 至图 6 中的静态特性是使用 < 300μs 脉冲、最大占空比 0.5% 获得的。
- 这些曲线基于结到环境热阻抗,该热阻抗是在器件安装在 1 平方英寸、2 盎司铜的 FR - 4 板上,假设最大结温 T_J(MAX) = 150°C 时测量得到的。SOA 曲线提供单脉冲额定值。

