NDH8502P
双P沟道,电流:-2.2A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDH8502P
- 商品编号
- C3281950
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 218pF |
商品概述
这些N沟道和P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- N沟道：漏源导通电阻 = 38 mΩ，栅源电压 = 4.5 V
- 3.6 A、20 V：漏源导通电阻 = 54 mΩ，栅源电压 = 2.5 V
- P沟道：漏源导通电阻 = 80 mΩ，栅源电压 = -4.5 V
- -2.6 A、-20 V：漏源导通电阻 = 110 mΩ，栅源电压 = -2.5 V
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
应用领域
-DC/DC转换器-电源管理