温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC2053UVTQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.6A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2053UVTQ-7
- 商品编号
- C3281955
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A；3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V；74mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V；5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 369pF；440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF；48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF；60pF |
商品概述
AO6400采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品AO6400为无铅产品（符合ROHS和索尼259规范）。AO6400是绿色产品订购选项。AO6400和AO6400L电气性能相同。