SI6933DQ
双30V P沟道MOSFET,电流:-3.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6933DQ
- 商品编号
- C3281963
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 854pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- RDS(ON) = 85 mΩ(VGS = - 4.5 V时)
-
- 3.5A, - 30V,RDS(ON) = 45mΩ(VGS = - 10V时)
- 扩展的VGSS范围(\pm 20V),适用于电池应用
- 低栅极电荷(典型值8nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-负载开关-电池保护-DC/DC转换-电源管理