SI6933DQ
双30V P沟道MOSFET,电流:-3.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6933DQ
- 商品编号
- C3281963
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 854pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 适用于轻薄应用的0.4mm超薄封装
- 0.6mm²封装尺寸，比SOT23小10倍
- 低VGS(TH)，可直接由电池驱动
- 低RDS(ON)
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
-负载开关-便携式应用-电源管理功能