FDW2504P
双P沟道MOSFET,电流:-3.8A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW2504P
- 商品编号
- C3281960
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容-低导通电阻-快速开关速度-完全无铅,完全符合 RoHS 标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- DC-DC 转换器-电源管理功能-背光照明