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DMN2041UVT-7
TSOT-26 2个N沟道 耐压:20V 电流:5.8A
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- 描述
- 这新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2041UVT-7
- 商品编号
- C3281953
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 689pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 便携式应用的负载开关
- LED背光开关
- DC/DC转换器