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SQ3425EV-T1_BE3
汽车级P沟道MOSFET,电流:-7.4A,耐压:-20V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3425EV-T1_BE3
- 商品编号
- C3281940
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试