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SQ3985EV-T1_BE3
汽车级 2个P沟道 耐压:20V 电流:3.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3985EV-T1_BE3
- 商品编号
- C3281944
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽型场效应功率 MOSFET
- 通过 AEC-Q101 认证
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 和非钳位感性开关 (UIS) 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
- P 沟道 MOSFET
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路