HAT2054M-EL-E
N沟道,电流:6.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HAT2054M-EL-E
- 商品编号
- C3281931
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。这种先进技术经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关模式电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 1.0 A、200 V，VGS = 10 V时，RDS(on) = 1.5 Ω
- 低栅极电荷（典型值7.2 nC）
- 低Crss（典型值6.8 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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