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SI3483DDV-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3483DDV-T1-GE3
- 商品编号
- C3281935
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感应开关（UIS）测试