RQ1E075XNTCR
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ1E075XNTCR
- 商品编号
- C3281924
- 商品封装
- TSMT-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）有显著改善，并且具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置G-S保护二极管。
- 小型表面贴装封装(TSST8)。
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器