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SQ3426AEEV-T1_BE3实物图
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SQ3426AEEV-T1_BE3

汽车级N沟道60V MOSFET,电流:7A,耐压:60V

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQ3426AEEV-T1_BE3
商品编号
C3281925
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))63mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 典型ESD保护800 V HBM
  • 通过AEC-Q101认证
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF