RQ5H020TNTL
1个N沟道 耐压:45V 电流:2A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ5H020TNTL
- 商品编号
- C3281894
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源等。
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源保护二极管
- 节省空间的小型表面贴装封装(TSMT3)
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用