温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RSR025N03HZGTL
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小尺寸表面贴装封装（TSMT3）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSR025N03HZGTL
- 商品编号
- C3281885
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合基于半桥配置的电子镇流器。
商品特性
- 0.5A、450V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 4.25Ω
- 低栅极电荷（典型值6.5nC）
- 低Crss（典型值6.5pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 保证栅源电压±50V