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RQ5C025TPTL
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ5C025TPTL
- 商品编号
- C3281886
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源保护二极管
- 节省空间的小型表面贴装封装(TSMT3)
- 引脚无铅镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
-开关应用