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STO65N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:46A
- 描述
- N沟道600 V、0.084 Ohm典型值、30 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-LL封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STO65N60DM6
- 商品编号
- C3281866
- 商品封装
- TO-LL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具有极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
- 得益于额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能
应用领域
- 开关应用
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